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总投资70亿美元 三星加速西安NAND闪存工厂建设

2019-10-14 15:24:04 投稿人 : haixia002 围观 : 59005 次 0 评论

  韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元,额外增加的资金主要用于建设位于中国西安的闪存工厂二期工程。在西安,三星2014年投资70亿美元建设了第一期闪存工厂,主要生产第一代V-NAND闪存芯片。2017年,三星与西安政府签署了新的协议,将在2020年之前再次投资70亿美元建设第二座闪存工厂。

  不过2017年的时候闪存市场还是牛市,价格上涨了一年多了,在2018年、2019年闪存价格接连下滑之后,三星建设西安工厂的速度也慢下来了。现在加速建设新工厂,实际上也是因为闪存市场即将迎来拐点,2020年普遍被看好,三星大举建设新工厂,有助于抢占更高的份额。(快科技)

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